Инженерная физика Аннотация к статье << Назад ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И УФ-ФОТОПРОВОДЯЩИЕ СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ag/ZnO А.Э. МУСЛИМОВ, А.М. ИСМАИЛОВ, В.А. БАБАЕВ, В.М. КАНЕВСКИЙ Исследованы электрические и УФ-фотопроводящие свойства поверхностно-барьерных структур на основе Ag/ZnO в зависимости от толщины пленок ZnO (менее ≤78 нм и более 1 мкм) и состояния поверхности подложки (ромбоэдрическая плоскость сапфира). Вольт-амперная характеристика структур на основе Ag/ZnO при толщинах ZnO ≤ 78 нм отличалась линейностью и симметричностью, независимо от состояния поверхности подложки. При увеличение толщины ZnO свыше 1 мкм структуры Ag/ZnO проявляли выпрямляющие свойства, однако характер вольт-амперных характеристик зависел от морфологии и структурного совершенства пленок ZnO. УФ-фоточувствительность по току и контрастность тока образцов находились в интервале 0,6…3,3x10–4 А/Вт ( при напряжении 1 В) и 1,27…15, соответственно. Ключевые слова: фотоэлементы, технология, тонкая пленка, селенизация, структура, состав, кристаллит, граница зерен, рефлекс. DOI: 10.25791/infizik.08.2019.809 Контактная информация: - Стр. 21-26.