|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
ПОГЛОЩЕНИЯ ВЧ МОЩНОСТИ ПЛАЗМОЙ ИНДУКТИВНОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ |
A.Ф. АЛЕКСАНДРОВ, Е.A. КРАЛЬКИНА, П.А. НЕКЛЮДОВА, В.Б. ПАВЛОВ, А.К. ПЕТРОВ, A.A. РУХАДЗЕ, К.В. ВАВИЛИН
Настоящая работа посвящена анализу механизма поглощения высокочастотной (ВЧ) мощности и экспериментальному и численному определению основных факторов, определяющих способность плазмы поглощать ВЧ-мощность, которые характеризуются величиной эквивалентного сопротивления плазмы в условиях ВЧ индуктивного разряда низкого давления. Определяются зависимости указанных характеристик от формы антенны, давления газа, плотности электронов, рабочей частоты и геометрических размеров плазменных источников. Экспериментальные
и численные результаты показывают не монотонное изменение эквивалентного сопротивления плазмы с увеличением электронной плотности, ее рост с давлением газа и сдвиг максимума эквивалентного сопротивления плазмы в сторону более высоких плотностей электронов с ростом рабочей частоты.
Ключевые слова: плазма, индуктивный разряд, поглощение мощности, низкое давление, сопротивление плазмы.
Контактная информация: E-mail: ekralkina@mail.ru, E-mail: vb_pavlov@mail.ru
Стр. 53-65. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |