|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
СПИНОВОЙ ТРАНСПОРТ И ПРОБЛЕМЫ МАГНИТНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ (MRAM) |
А.Ф. Попков, К.А. Звездин, М.Ю. Чиненков, Н.А. Дюжев, А.К. Звездин
В работе приведен обзор исследований микроскопических механизмов передачи вращательного момента в магнитных наноструктурах. Описаны баллистический и диффузионный механизмы передачи спинового момента и спиновая аккумуляция. Описаны процессы переключения магнитных состояний спин-поляризованным электрическим током в тонкослойных спин-вентильных магнитных наноструктурах. Приделан анализ перспективы применения спин-вентильных наноструктур в энергонезависимой памяти – магнитной оперативной памяти (MRAM) и термостимулированного МОЗУ (TA-MRAM). Ключевые слова: спиновой транспорт, магниторезистивная память, MRAM, TA-MRAM, спин-вентильная наноструктура, спинтронный наногенератор, магнитодинамика.
Контактная информация: E-mail: konstantin.zvezdin@gmail.com
Стр. 19-34. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |