 |
advertisement |
|
|
|
|
|
|
|
Engineering Physics Annotation << Back
|
SPIN TRANSPORT AND THE PROBLEMS OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) |
A.F. Popkov, K.A. Zvezdin, M.YU. Chinenkov, N.A. Dyuzhev, A.K. Zvezdin
This paper provides an overview of studies of microscopic mechanisms of spin torque transfer in magnetic nanostructures. Ballistic and diffusive mechanisms for the spin torque transfer and spin accumulation are described. Switching magnetic states by spin-polarized electric current in thin spin-valve nanostuctures is considered. Analysis of the application prospects of spin-valve nanostructures in non-volatile magnetic random access memory (MRAM) and thermally assisted magnetic memory (TA-MRAM) is carried out. Key words: spin-polarized transport, magnetoresistive memory, magnetic dynamics, MRAM, TA-MRAM, spin-valve nanostructure, spin generator, magnetodynamics.
Contacts: E-mail: konstantin.zvezdin@gmail.com
Pp. 19-34. |
|
|
|
Last news:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |