|
advertisement |
|
|
|
|
|
|
Engineering Physics Annotation << Back
Effect of implantation parameters on formation of domains of doping impurities in silicon wafer nanorelief |
G.A. Tarnavsky, S.S. Chesnokov
Computer simulation of nanotechnological process of doping (by ion implantation method) in nanoprotuberance of silicon wafer relief is conducted. The effect of basic process parameters (implant type, implantation energy and angle) on position and configuration of phosphorus, boron and arsenic doping-domains is investigated.
Key words: nanotechnologies, computer simulation, implantation, doping impurities, silicon.
E-mail: Gennady.Tarnavsky@gmail.com.
Pp. 19-25.
|
|
|
|
Last news:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |