Инженерная физика Аннотация к статье << Назад Исследование влияния высокотемпературного фона на критический ток ВТСП ленты 2-го поколения на основе YBa2 Cu3 O7–x при воздействии на ленту ударных волн Минаев И.М., Пономарев А.В., Троицкий А.В. Образцы композитных лент из высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) второго поколения на основе соединения YBa2 Cu3 O7–x были подвержены ударно-волновой нагрузке через танталовую (толщиной 0,1 мм) и свинцовую (толщиной 0,8 мм) мишени. Оценка результата воздействия проводилась по измерениям величины критического тока до и после воздействия. Ударные волны создавались импульсным релятивистским пучком электронов в материале защитного экрана. Использование свинцовой мишени позволило снизить тепловую нагрузку на ВТСП образец с ~ 1300 К (танталовая мишень) до уровня фона ~ 350 К (свинцовая мишень). Полученные результаты показали, что при практически одинаковом давлении на фронте ударной волны на границе мишень – ВТСП, стойкость ВТСП образцов при ударно-волновой нагрузке через танталовую мишень отличается от стойкости при воздействии через свинцовую мишень. Наблюдалось резкое падение критического тока в сверхпроводнике при энергии электронного пучка 2 Дж в случае свинцовой мишени, и при энергии электронного пучка 3 Дж в случае танталовой мишени. Характер изменения величины критического тока практически не зависел от наличия высокотемпературного фона. Полученное различие в стойкости ВТСП образцов к воздействию ударных волн при использовании мишеней из различного материала объясняется особенностями их перехода из мишени в ВТСП образец. Теоретические оценки показали хорошее согласие с экспериментальными результатами. Ключевые слова: высокотемпературный сверхпроводник, критический ток, ударные волны, импульсный релятивистский электронный пучок. DOI: 10.25791/infizik.8.2025.1495 Стр. 06-14.