 |
реклама |
|
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика
Аннотация к статье << Назад
|
ВЛИЯНИЕ СТРОЕНИЯ ДВОЙНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ НА СТАБИЛЬНОСТЬ ОБЪЕМНЫХ НАНОПУЗЫРЕЙ |
C.И. КОШОРИДЗЕ
При рассмотрении электростатической стабилизации объемных нанопузырей (ОНП) учтена структура двойного электрического слоя (ДЭС) , состоящего из диффузионного и штерновского областей, причем в последнем диэлектрическая проницаемость(ДП) значительно меньше, чем в первом. Показано, что узкий гидратированный слой Штерна существенно повышает отрицательное электростатическое давление(ЭД), и при определенных значениях поверхностного заряда может компенсировать огромное сжимающее лапласовское давление (ЛД), препятствуя диффузионному растворению ОНП.
Ключевые слова: нанопузыри, слой Штерна, диэлектрическая проницаемость.
DOI: 10.25791/infizik.7.2023.1342
Стр. 22-25. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |
