|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМООБРАЗОВАНИЯ ВАХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ В СХЕМЕ С ОБЩИМ СТОКОМ |
Х.К. АРИПОВ, А.М. АБДУЛЛАЕВ, Ш.Т. ТОШМАТОВ
Приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований закономерностей формообразования вольт-амперных характеристик металл-окисел-полупроводник транзисторов в схеме с общим стоком. Показано принципиальное отличие входных и выходных характеристик в схеме с общим стоком от аналогичных характеристик в схеме с общим истоком. Приводятся истоко-затворные и истоковые характеристики металл-окисел-полупроводник транзистора в схеме с общим стоком. Получены совмещенные семейства истоко-затворных и истоковых характеристик металл-окисел-полупроводник транзистора в схемах с общим истоком и стоком.
Ключевые слова: микросхемотехника, интегральные микросхемы, операционный усилитель, МОП-транзистор, схема усилителя на основе МОП-транзисторов, семейства сток-затворных и стоковых характеристик.
Контактная информация: E-mail: Khayrulla-Aripov@yandex.ru
Стр. 40-44. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |