|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
РАЗРУШЕНИЕ КАНАЛА ПРОВОДИМОСТИ В ЭЛЕМЕНТАХ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКОГО ОКСИДА КРЕМНИЯ |
П.С. ЗАХАРОВ
Исследуется обратимое переключение электрической проводимости элементов резистивной памяти на основе тонких пленок нестехиометрического оксида кремния. Изготовленные тестовые структуры с субмикронными планарными размерами демонстрируют возможность создания устройств высокоплотной памяти, совместимой с технологическим процессом кремниевой микроэлектроники. На основе анализа температурных зависимостей характеристик переключения выдвинуто предположение о том, что разрушение канала проводимости в нестехиометрическом оксиде кремния – это термоактивационный процесс с нижним пределом энергии активации на уровне примерно 0,5 эВ. Для подтверждения данной гипотезы изучена устойчивость высокопроводящего состояния к термическому отжигу.
Ключевые слова: нестехиометрический оксид кремния, переключение проводимости, тонкие пленки, резистивная память.
Контактная информация: E-mail: pzakharov@mikron.ru
Стр. 53-56. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |