|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
Анализ пробегов нерелятивистских и релятивистских электронов в модели обобщенной диффузии |
Конов К.И.
Никеров В.А.
В рамках модели обобщенной диффузии для веществ с зарядовым числом атомов Z от 1 до 82 рассчитан максимальный размер тонкого слоя, торможение нерелятивистских электронов в котором осуществляется без существенного искривления траектории. Показано, что использование формул тонких слоев для пробегов в толстых слоях дает завышенные в значения. При этом ошибка появляется при Z>3, достигая при Z=82 пятикратного значения. Существенно, что в соответствии с моделью обобщенной диффузии толщина слоя среднего пятикратного пробега на много порядков ослабляет поток электронов. Также проанализирована характерная ошибка расчетов пробегов, которая связана с некорректностью использования среднего зарядового числа в веществах и смесях, состоящих из атомов с существенно различным зарядовым числом. Показано, что при этом имеет место завышение пробегов электронов в полиэтилене, полистироле и хлористом водороде на 10…23 %. Получены простые и удобные для использования в сложном моделировании формулы для средней длины пробега вдоль координаты релятивистских электронов в различных средах.
Ключевые слова: нерелятивистские и релятивистские электроны, обобщенная диффузия, средняя длина пробега электронов вдоль координаты.
Контактная информация: E-mail: n@wswr.ru
Стр. 07-12. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |