|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
Влияние изопропилового спирта на характеристики слоев пористого кремния |
Хрипко С.Л.
Investigated the influence of resistivity p-type silicon, anodization current density and anodizing time on the porosity, thickness and rate formation porous silicon. Samples were prepared in an electrolyte mixture of hydrofluoric acid (48% HF) and izopropanol (CH3CH (OH) CH3). In boron doped wafers with resistivity of 0.005...40 Ohm·cm may be obtained porous silicon layers of thickness 0.5...10 microns, porosity of 10...40 %.
Key words: isopropyl alcohol, anodizing, porous silicon.
Контактная информация: -
Стр. 44-47. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |