|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
Импульсно-периодический источник
высокотемпературной плазмы и коротковолнового
излучения для технологических применений |
Борисов В.М.
Кузьменко В.А.
Христофоров О.Б.
Представлены результаты разработки и исследования источника высокотемпературной импульсной плазмы (ВТИП) на основе модифицированного Z-пинча с высокой частотой следования импульсов. Отличительной особенностью электродной системы источника является отсутствие в области высокотемпературной плазмы керамического изолятора, обычно устанавливаемого между электродами. Это повышает надежность источника плазмы, его ресурс, минимизирует поток загрязняющих частиц из области разряда. Такой подход к созданию источника ВТИП позволил реализовать непрерывный режим его работы с вводимой в разряд электрической мощностью до 20 кВт с частотой следования импульсов 2 кГц. Для разряда в ксеноне доля коротковолнового излучения (в спектральном диапазоне 5…80 нм) достигает 50 %. Одним из применений источника в настоящее время может быть инспекция литографических масок и метрология, другим применением – технология обработки поверхности материалов. Приведены результаты, иллюстрирующие эффективное воздействие на обрабатываемые материалы потоков ВТИП и коротковолнового излучения разработанного источника.
Ключевые слова: ЭУФ, ВТИП, плазменная обработка поверхности, Z-пинч, высокая частота следования импульсов.
Контактная информация: e-mail: borisov@triniti.ru
Стр. 34-43. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |