|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
Фрактальное моделирование атомной структуры аморфного кремния на основе систем итерированных функций |
А.Б. Голоденко
Изложен способ описания атомной структуры аморфного полупроводника периодической системой итерированных функций, аргументами которой служат значения диэдрических углов и отклонений валентных углов его элементарной атомной ячейки, позволяющий получить адекватную модель аморфной структуры, пригодную для решения задачи создания и производства аморфных полупроводников с необходимыми электрическими и оптическими свойствами. Ключевые слова: Фрактальное моделирование, атомная структура, аморфный полупроводник, системы итерированных функций.
E-mail: sashjol@mail.ru |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |