|
advertisement |
|
|
|
|
|
|
Engineering Physics Annotation << Back
METHODS OF BUILDING LOAD CHARACTERISTICS OF POWER AMPLIFIERS ON MOS TRANSISTORS |
A.M. ABDULLAYEV, KH.K. ARIPOV, N.B. ALIMOVA, Z.KH. ARIPOVA, SH.T. TOSHMATOV
The paper presents the results of studies on the development of power amplifiers based on MOS transistors. A method for combining the load characteristics of power amplifiers is proposed, which provides a relationship between the parameters of the MOS transistor and the parameters of the amplifier.
Keywords: MOS transistor, source-gate characteristic, source characteristic, power amplifier, load characteristic, combining method.
DOI: 10.25791/infizik.10.2020.1168
Pp. 44-48. |
|
|
|
Last news:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |