 |
advertisement |
|
|
|
|
|
|
|
Engineering Physics
Annotation << Back
|
THE ELECTRON DENSITY
OF STATES OF EPITAXIAL GRAPHENE
ON THE SURFACE
OF THE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
Z.Z. ALISULTANOV, D.M. RUSTAMOVA
In this paper, we consider the electron states of epitaxial graphene, formed on the surface
of the semiconductor substrate. We use the approach based on the Anderson Hamiltonian
in Haldane-Anderson approximation. We obtained the analytic expression for density of
states of the epitaxial graphene. We investigate a behavior of density of states in epitaxial
graphene for various values of parameters. Our results are of great interest when we consider
the epitaxial graphene as promising material for capacitors.
Key words: epitaxial graphene, density of states, Green functions.
Contacts: E-mail: mende_fedor@mail.ru
Pp. 29-36. |
|
|
|
Last news:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |
