Инженерная физика Аннотация к статье << Назад Электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные дефектами. Спектры флуктуаций Якубович Б.И. Изучены электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные захватом и эмиссией носителей заряда ловушками, образованными дефектами структуры. Стохастические процессы захвата и эмиссии носителей ловушками являются причиной нескольких типов электрических шумов. Шум, вызванный данным механизмом, во многом ограничивает характеристики полупроводниковых приборов и снижает их качество. По этим причинам изучение таких флуктуаций в полупроводниках принципиально и практически важно. В статье широко рассмотрены электрические флуктуации в полупроводниках, вызванные захватом и эмиссией носителей заряда ловушками, образованными дефектами структуры. Проанализированы флуктуации при статистически связанных процессах захвата и эмиссии носителей на различных ловушках. Проанализированы флуктуации при независимых процессах захвата и эмиссии носителей на различных ловушках. Вычислены спектры флуктуаций. Флуктуционные процессы, вызывающие электрический шум рассмотрены в весьма общем виде. В результате дано строгое и широкое описание электрических флуктуаций в полупроводниках, вызванных захватом и эмиссией носителей заряда ловушками. Оно справедливо для различных типов полупроводников и для различных типов ловушек. Результаты статьи имеют практическое значение: они могут быть применены для снижения шума, улучшения качества и повышения надежности полупроводниковых приборов. Ключевые слова: флуктуации, шум, электрический, полупроводники, полупроводниковые приборы, спектр, стохастический. DOI: 10.25791/infizik.2.2026.1536 Стр. 38-46.