Инженерная физика Аннотация к статье << Назад ИССЛЕДОВАНИЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ ШОТТКИ И СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И.Г. ПАШАЕВ Данная работа посвящена исследованию восстановление характеристик aAuTinSi диодов Шоттки (ДШ), подвергнутых γ-облучению либо локальному нарушению структуры границы раздела с помощью алмазного индентора. Уменьшение избыточного тока диода достигалось как с помощью термоотжига, так и путем ультразвукового облучения. Параллельно исследовались параметры солнечных элементов, изготовленных из указанных ДШ, подвергнутых γ-облучению и однократному либо двукратному ультразвуковому облучению. Было показано, что после воздействия алмазным индентором избыточный ток диода уменьшен, путем термоотжига, однако уменьшение избыточного тока к исходной величине не достигается. Фотоэлектрические параметры исследованных солнечных элементов (СЭ) до облучения, после γ-облучения и однократного или двукратного ультразвукового облучения, показывают, что ультразвуковые обработки (УЗО) более эффективны, чем термоотжиг. Ключевые слова: восстановление характеристик, граница раздела, диоды Шоттки, ультразвуковое облучение, фоточувствительность, кремниевые солнечные элементы. Контактная информация: E-mail: pashayev1957@mail.ru Стр. 08-13.