Р.Г. ВАЛЕЕВ, А.Н. БЕЛЬТЮКОВ, В.В. КРИВЕНЦОВ
Представлены результаты исследований локальной атомной структуры и характера химических связей полупроводников изоэлектронного ряда германия (Ge, GaAs, ZnSe, ZnS), полученных методом термического испарения порошка материала на пористые матрицы анодного оксида алюминия и подложки поликора. Показано, что механизм формирования локальной атомной структуры Ge, GaAs, ZnSe и ZnS в целом одинаков. Также наблюдаются изменения в локальной атомной структуре материала, полученного в пористых матрицах, по сравнению с пленками на поверхности поликора, связанные с различием механизма конденсации. Установлено, что с ростом степени ионности химической связи в соединениях изоэлектронного ряда Ge, к которым относятся GaAs и ZnSe, по сравнению с чистыми элементами, составляющими соединение, увеличивается разница энергий связи между однотипными электронными оболочками.
Ключевые слова: Ge, GaAs, ZnSe, ZnS, пористый анодный Al2O3, локальная атомная структура, EXAFS-спектроскопия, Фурье-подгонка, рентгеноэлектронная спектроскопия.
Контактная информация: E-mail: rishatvaleev@mail.ru, E-mail: beltukov.a.n@gmail.com, E-mail: kriven@mail.ru
Стр. 04-12. |
