|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
Исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов от плотности тока |
О.И. Рабинович, В.П. Сушков
Проведено исследование зависимости внешнего квантового выхода излучающих диодов (ИД) (в видимой области спектра – СИД, в УФ области – УФИД) от плотности тока на основе многокомпонетной гетероструктуры AlGaInN с помощью компьютерного моделирования. Предложена модель, объясняющая уменьшение квантового выхода с увеличением плотности тока.
E-mail: rabinwork@mail.ru |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |