|
реклама |
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
Природа химической связи в tho2 |
А.Ю. Тетерин, М.В. Рыжков, Ю.А. Тетерин, Л. Вукчевич, В.А. Терехов, К.И. Маслаков, К.Е. Иванов
Изучена тонкая структура рентгеноэлектронного спектра ThO2 в диапазоне 0...35 эВ. Анализ проведен с учетом данных теоретического расчета электронного строения кластера ThO812- группы симметрии D4h, отражающего ближайшее окружение тория в ThO2, выполненного в релятивистском приближении методом X-дискретного варьирования. В результате теоретически показано и экспериментально подтверждено, что в ThO2 при образовании химической связи в валентной зоне возникают заполненные состояния Th5f-электронов (~0,7 Th5f-электрона). Показано, что Th6p-электроны принимают значительное участие в образовании не только внутренних валентных, но и внешних валентных (~0,4 Th6p-электрона) молекулярных орбиталей (зон). Установлен состав и порядок следования внутренних валентных молекулярных орбиталей в энергетической области от 13 до 35 эВ и рассчитана плотность состояний валентных электронов от 0 до 35 эВ в диоксиде тория. Полученные данные позволили впервые расшифровать тонкую структуру рентгеновского O4,5(Th)-эмиссионного спектра тория высокого разрешения для ThO2 в диапазоне энергий фотонов от ~ 60 до ~ 85 эВ, которая обусловлена электронами валентных электронов. Ключевые слова: спектр, метод X-дискретного варьирования, молекулярные орбитали, фотон.
E-mail: antonxray@yandex.ru |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |