Инженерная физика Аннотация к статье << Назад DD-синтез в проводящих кристаллах Цыганов Э.Н. В работе рассматриваются аспекты атомной физики, приводящие к отбору разрешенных орбиталей атомов при насыщении проводящих кристаллов атомами дейтерия. Наличие свободных электронов проводимости кристалла, группирующихся в области потенциальных ниш кристаллической решетки, приводит к запрету для s-состояния водорода занимать эти ниши. При этом заполнение этих ниш дейтерием оказывается возможным для возбужденных атомных состояний уровня 2p или выше. В экспериментах по DD-синтезу на ускорителях низких энергий было показано, что если атом дейтерия-мишени располагается в проводящем кристалле, эта реакция идет с гораздо большей вероятностью, чем в случае свободных атомов дейтерия. Когда в одну кристаллическую нишу попадают два атома дейтерия, то расстояние между ядрами этих атомов оказывается равным 1/10…1/20 от номинальных размеров этих атомов. Теоретические расчеты показывают, что для реакции синтеза DD→4He* это эквивалентно дополнительной энергии 300…700 эВ. Мы полагаем, что именно процесс возбуждения атомных состояний до уровня 2р или выше объясняет первую стадию так называемого холодного ядерного синтеза. Ключевые слова: синтез дейтронов, кристаллическая решетка, деформация электронных оболочек, прозрачность кулоновского барьера, механизм Ридберга, катализ ядерного синтеза. Контактная информация: E-mail: edward.tsyganov@coldfusion-power.com Стр. 06-13.