 |
реклама |
|
|
|
|
|
|
|
Инженерная физика Аннотация к статье << Назад
|
Адсорбция атомов на графене во внешнем
квантующем магнитном поле |
Алисултанов З.З.
Мирзегасанова Н.А.
Мусаев Г.М.
Фадель Х.К.
В работе модель Андерсона–Ньюнса для адсорбции атомов на графене обобщается на случай наличия внешнего поперечного квантующего магнитного поля. Получены аналитические выражения для плотности состояний двумерной системы с дираковским спектром во внешнем магнитном поле. В приближении, в котором учитывается только изменение плотности состояний подложки, получены аналитические выражения плотности состояний адатома. Исследован зарядовый обмен между адатомом и подложкой. Изучены зависимости плотности состояний адатома и переходящего заряда от величины магнитного поля при различных значениях константы взаимодействия. Получено аналитическое выражение для возмущенной адсорбцией плотности состояний подложки и исследована зависимость последней от параметров задачи.
Ключевые слова: адсорбция, графен, модель Андерсона-Ньюнса, дираковские фермионы, плотность состояний, переходящий заряд.
Контактная информация: E-mail: zaur0102@gmail.com
Стр. 21-29. |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |